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装置概要
300mmまでの半導体プロセスウエハや200mm□までの試料を非破壊かつ絶対膜厚・密度測定、組成評価が可能な装置です。
装置特徴
X線反射率ユニット、蛍光X線ユニット、斜入射蛍光X線ユニットを搭載可能。
各種用途に合わせた測定に対してユニットの選択が可能です。
X線ユニットのご紹介
X線反射率 (XRR)
金属膜や透明膜など薄膜・膜厚・密度の
絶対値を測定します。
蛍光X線 (XRF)
・金属膜の膜厚を短時間で測定します。
・化合物の組成比を測定します。
・膜厚と組成同時測定が可能です。
・金属膜の膜厚を短時間で測定します。
・化合物の組成比を測定します。
・膜厚と組成同時測定が可能です。
射入射蛍光X線 (GI-XRF)
・金属膜の超薄膜を精度よく測定します。
・下地膜の影響なしで評価可能です。
・膜厚・組成同時測定が可能です。
・金属膜の超薄膜を精度よく測定します。
・下地膜の影響なしで評価可能です。
・膜厚・組成同時測定が可能です。
アプリケーション
■有機膜（単層膜 膜厚測定）
X線反射率法は光干渉式の膜厚計と異なり光学係数の影響を受けないため、光学係数の影響を受けやすい試料の面内均一性を高精度で測定可能です。
■積層構造（積層膜 膜厚測定
X線反射率法により得られた振幅波形から、積層された膜の膜厚値と密度値を同時に測定できます。
| 表面第１層 | 表面第２層 | 表面第３層 | 表面第４層 |
|---|---|---|---|
| a-Si膜厚（nm） | SiO2膜厚（nm） | SiN膜厚（nm） | Mo膜厚（nm） |
| 38.36 | 120.86 | 47.85 | 87.13 |
| a-Si膜厚（g/c㎡） | SiO2膜厚（g/c㎡） | SiN膜厚（g/c㎡） | Mo膜厚（g/c㎡） |
| 2.24 | 2.16 | 2.58 | 10.15 |
全反射蛍光Ｘ線 ウエハ表面分析装置
300mmまでのウエハに対応した全反射蛍光X線装置。
半導体ウエハ等の金属汚染を評価する装置です。»詳細はこちらへ
