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装置概要
300mmまでのウエハに対応した全反射蛍光X線装置。
半導体ウエハ等の金属汚染を評価する装置です。
装置特徴
測定元素Na～Uまでを対象とし、マッピング機能及びエッジ測定機能を搭載。
新開発の角度調整機構により高スループットを実現しております。
アプリケーション
プロセス前後の半導体ウエハ金属汚染確認。
ガラス基板等のパーティクル系金属汚染確認。
主な仕様
| 多元素同時測定 | NaからUまでの元素を同時に測定できます |
| 非破壊分析 | X線による非破壊の測定です |
| 簡単測定 | 測定からレポート作成まで自動で可能 |
| マッピング機能 | 面内汚染分布の測定が可能です |
| エッジ測定 | エッジ部の測定に対応しています |
| 高スループット | 新開発の角度調整機構により、高スループットを実現 |
| 低ランニングコスト | 封入型X線管球と窒素レスX線検出器の組合せ |
| 省スペース | サイズ約2.4m2?/ ～12インチウエハ対応 |
